DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM
	8GiB DDR4-2133 ECC 1.2 V RDIMM
종류	SDRAM
출시일	2014년 9월
이전 기종	DDR3 SDRAM
후속 기종	DDR5 SDRAM
웹사이트	DDR4 SDRAM STANDARD

컴퓨팅 분야에서 DDR4 SDRAM은 2배속 SDRAM의 일종으로, 2014년에 출시되었다.^[2]^[3]^[4] 'DDR4 SDRAM'은 'double data rate 4th generation synchronous dynamic random-access memory'(4세대 2배속 동기 동적 랜덤 접근 기억장치)를 줄인 말이다.

1970년대 초 이후로 사용되어 온 DRAM들 중 가장 최근의 변종이 되며,^[5] DDR2 SDRAM과 DDR3 SDRAM 기술의 뒤를 이었다. DDR4 SDRAM은 서로 다른 신호 전압, 물리적 인터페이스, 기타 요인으로 인해 이전 세대의 RAM과는 호환되지 않는다.

DDR4 SDRAM은 2015년 2/4분기에 ECC 메모리에 주력하여 시장에 공개되었고,^[6] 비 ECC 메모리 모듈은 DDR4 메모리를 사용하는 하스웰-E의 출시와 함께 2014년 3/4분기에 출시되었다.^[7]

특징

이전 기종인 DDR3에 비해 DDR4가 좋은 점으로는 모듈 밀도가 높고, 높은 비트 전송률과 함께 필요한 전압이 낮음을 들 수 있다. DDR4의 기준은 이론적으로 DIMM이 용량 512GiB까지 가능한데, DDR3의 경우 이론적으로 DIMM당 128GiB이 최고였다.^[8] DDR4는 1.2 V에 800에서 1600 MHz의 주파수로 운용되는데, DDR3는 1.5 V 또는 1.65 V에서 400에서 1067 MHz로 기동한다.^[9]^{[주해 1]}^[10] 2014년 8월 저전력 기준이 확정되지는 않았지만, 저전력 DDR4는 DDR3의 저전력 기준인 1.35V의 운용 전압보다 낮은 1.05V로 구동이 된다.^[11]

DIMM 차이

DDR4는 240핀 DDR-2/DDR-3 DIMM과 비슷한 284핀 DIMM으로 출시된다.^[12] DDR4 SO-DIMM은 256핀을 지니며 0.5mm 더 공간이 좁아졌고 1.0 mm 더 넓어졌으나 기존과 동일한 30 mm 높이를 유지한다.^[12] 최소 메모리용량은 4GB이며 32비트는없다.

최종 규격

2012년 9월 25일, 메모리 표준 규격을 정하는 JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council ) 은 차기 메모리인 DDR4 의 최종 규격을 발표했다. 이에 의하면 핀당 전송 속도는 최소 1.6 GT/s (Gigatransfer per second)에서 최대 3.2 GT/s 가 기본이지만 이전 DDR3 이하 메모리에서 그랬듯이 이보다 더 빠른 규격이 등장할 수도 있을 것으로 예상되었다. 또한 DDR4 메모리는 기본이 1.2 V 로 작동해 1.5 V 로 작동하는 DDR3 메모리보다 전력 소모가 줄어들고 속도는 빨라졌기 때문에 도입되면 큰 이점이 있을 것으로 기대되었다.^[13]

모듈

JEDEC 표준 DDR4 모듈

JEDEC 표준 DDR4 모듈은 다음과 같다.^[14]^[15]

표준 이름	메모리 클럭 (MHz)	입출력 버스 클럭 (MHz)	데이터 속도 (MT/s)	모듈 이름	최고 전송 속도 (MB/s)	타이밍, CL-tRCD-tRP	CAS 레이턴시 (ns)
DDR4-1600J* DDR4-1600K DDR4-1600L	200	800	1600	PC4-12800	12800	10-10-10 11-11-11 12-12-12	12.5 13.75 15
DDR4-1866L* DDR4-1866M DDR4-1866N	233.33	933.33	1866.67	PC4-14900	14933.33	12-12-12 13-13-13 14-14-14	12.857 13.929 15
DDR4-2133N* DDR4-2133P DDR4-2133R	266.67	1066.67	2133.33	PC4-17000	17066.67	14-14-14 15-15-15 16-16-16	13.125 14.063 15
DDR4-2400P* DDR4-2400R DDR4-2400T DDR4-2400U	300	1200	2400	PC4-19200	19200	15-15-15 16-16-16 17-17-17 18-18-18	12.5 13.32 14.16 15
DDR4-2666T DDR4-2666U DDR4-2666V DDR4-2666W	333.33	1333.33	2666.67	PC4-21333	21333.33	17-17-17 18-18-18 19-19-19 20-20-20	12.75 13.50 14.25 15
DDR4-2933V DDR4-2933W DDR4-2933Y DDR4-2933AA	366.67	1466.67	2933.33	PC4-23466	23466.67	19-19-19 20-20-20 21-21-21 22-22-22	12.96 13.64 14.32 15
DDR4-3200W DDR4-3200AA DDR4-3200AC	400	1600	3200	PC4-25600	25600	20-20-20 22-22-22 24-24-24	12.50 13.75 15

* 선택 사항

같이 보기

각주

↑ “JEDEC Announces Publication of DDR4 Standard”. JEDEC. 2012년 9월 25일. .
↑ Marc (2011년 4월 5일). “Hynix produces its first DDR4 modules”. 《behardware.com》. 2012년 4월 15일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2012년 4월 14일에 확인함.
↑ “Micron teases working DDR4 RAM”. engadget.com. 2012년 5월 8일. 2012년 5월 8일에 확인함.
↑ “Samsung mass-produces DDR4”. 2016년 3월 26일에 확인함.
↑ “The DRAM Story” (PDF). www.ieee.org. 2008. 10쪽. 2012년 1월 23일에 확인함.
↑ “Crucial DDR4 Server Memory Now Available”. Globe newswire. 2014년 6월 2일. 2016년 3월 6일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2016년 3월 26일에 확인함.
↑ “How Intel Plans to Transition Between DDR3 and DDR4 for the Mainstream”. TechPowerUp. 2016년 3월 26일에 확인함.
↑ “Why migrate to DDR4?”. 《EE Times》.
↑ “DDR3 SDRAM Standard JESD79-3F, sec. Table 69- Timing Parameters by Speed Bin”. JEDEC. 2012년 7월. 2016년 3월 28일에 확인함.
↑ “Vengeance LP Memory — 8GB 1600MHz CL9 DDR3 (CML8GX3M1A1600C9)”. 《Corsair》. 2016년 3월 28일에 확인함.
↑ “DDR4 – Advantages of Migrating from DDR3”. 2016년 3월 24일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2016년 3월 28일에 확인함. .
↑ ^가 ^나 J.Y. Jung (2012년 9월 11일). “Intel Developer Forum 2012”. Samsung. 2012년 11월 27일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2012년 9월 15일에 확인함.
↑ “JEDEC, DDR3 후속 차세대 DDR4 메모리 표준 사양 확정”. 2012년 9월 26일. 2013년 1월 21일에 확인함.
↑ 《JESD79-4A – JEDEC Standard DDR4 SDRAM November 2013》 (PDF), JEDEC
↑ 《DDR4 SDRAM UDIMM Design Specification》 (PDF), JEDEC

보충 설명

↑ 일부 DDR3 제품은 원래보다 높은 1600 MHz까지의 속도로 작동되기도 한다.

[jedec.org-1] “JEDEC Announces Publication of DDR4 Standard”. JEDEC. 2012년 9월 25일. .

[hynix_April_2011-2] Marc (2011년 4월 5일). “Hynix produces its first DDR4 modules”. 《behardware.com》. 2012년 4월 15일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2012년 4월 14일에 확인함.

[micron_May_2012-3] “Micron teases working DDR4 RAM”. engadget.com. 2012년 5월 8일. 2012년 5월 8일에 확인함.

[4] “Samsung mass-produces DDR4”. 2016년 3월 26일에 확인함.

[dram_story-5] “The DRAM Story” (PDF). www.ieee.org. 2008. 10쪽. 2012년 1월 23일에 확인함.

[6] “Crucial DDR4 Server Memory Now Available”. Globe newswire. 2014년 6월 2일. 2016년 3월 6일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2016년 3월 26일에 확인함.

[7] “How Intel Plans to Transition Between DDR3 and DDR4 for the Mainstream”. TechPowerUp. 2016년 3월 26일에 확인함.

[8] “Why migrate to DDR4?”. 《EE Times》.

[9] “DDR3 SDRAM Standard JESD79-3F, sec. Table 69- Timing Parameters by Speed Bin”. JEDEC. 2012년 7월. 2016년 3월 28일에 확인함.

[11] “Vengeance LP Memory — 8GB 1600MHz CL9 DDR3 (CML8GX3M1A1600C9)”. 《Corsair》. 2016년 3월 28일에 확인함.

[12] “DDR4 – Advantages of Migrating from DDR3”. 2016년 3월 24일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2016년 3월 28일에 확인함. .

[SamsungIDF-13] 가 ^나 J.Y. Jung (2012년 9월 11일). “Intel Developer Forum 2012”. Samsung. 2012년 11월 27일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2012년 9월 15일에 확인함.

[Bodnara.co.kr-14] “JEDEC, DDR3 후속 차세대 DDR4 메모리 표준 사양 확정”. 2012년 9월 26일. 2013년 1월 21일에 확인함.

[JEDECstd-15] 《JESD79-4A – JEDEC Standard DDR4 SDRAM November 2013》 (PDF), JEDEC

[16] 《DDR4 SDRAM UDIMM Design Specification》 (PDF), JEDEC

[10] 일부 DDR3 제품은 원래보다 높은 1600 MHz까지의 속도로 작동되기도 한다.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[주해 1]

[10]

[11]

[12]

[13]

[14]

[15]

v t e DRAM의 종류
비동기식 전송	FPM RAM EDO RAM
동기식 전송	SDRAM DDR SDRAM 모바일 DDR (LPDDR) DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM DDR5 SDRAM 고대역 메모리 하이브리드 메모리 큐브
그래픽스	EDO RAM VRAM WRAM MDRAM SGRAM SDRAM DDR DDR2 GDDR3 SDRAM GDDR4 SDRAM DDR3 SDRAM GDDR5 SDRAM GDDR6 SDRAM
램버스	RDRAM XDR DRAM XDR2 DRAM
메모리 모듈	SIMM DIMM SO-DIMM UniDIMM