Galliumnitride
| Gallium(III)nitride | ||||
|---|---|---|---|---|
| Structuurformule en molecuulmodel | ||||
| ||||
Kristalstructuur van gallium(III)nitride,
■ Ga ■ N | ||||
| ||||
Een stukje gallium(III)nitride
| ||||
| ||||
Kristallen gallium(III)nitride
| ||||
| Algemeen | ||||
| Molecuulformule | ||||
| IUPAC-naam | Gallium(III)nitride | |||
| Molmassa | 83,730 g/mol | |||
| SMILES | [Ga]#N
| |||
| CAS-nummer | 25617-97-4 | |||
| PubChem | LW9640000 | |||
| Wikidata | Q411713 | |||
| Beschrijving | geel poeder | |||
| Fysische eigenschappen | ||||
| Dichtheid | [1]6,1 g/cm³ | |||
| Smeltpunt | [1][2]> 1600 °C | |||
| Onoplosbaar in | water[3] | |||
| Brekingsindex | 2,429 | |||
| Thermodynamische eigenschappen | ||||
| ΔfH |
−110,2 kJ/mol | |||
| Tenzij anders vermeld zijn standaardomstandigheden gebruikt (298,15 K of 25 °C, 1 bar). | ||||
| ||||
Galliumnitride (GaN) is een halfgeleider met een vrij grote band gap (3,4 eV) die rond de millenniumwisseling zeer in de belangstelling is gekomen. Het materiaal is geschikt voor het maken van vastestoflasers met golflengten in het ultraviolette gebied van het elektromagnetisch spectrum. Galliumnitride kan daarom van groot belang worden voor het maken van displays (bijvoorbeeld computerschermen) en in de ruimtevaart omdat, wegens de grote band gap, galliumnitride bestand is tegen de ruimtestraling. Een X-band-zender gebaseerd op GaN werd in mei 2013 gelanceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet.
Bronnen, noten en/of referenties
- Dit artikel of een eerdere versie ervan is een (gedeeltelijke) vertaling van het artikel Gallium nitride op de Engelstalige Wikipedia, dat onder de licentie Creative Commons Naamsvermelding/Gelijk delen valt. Zie de bewerkingsgeschiedenis aldaar. Met name gegevens in de infobox zijn ontleend aan de Engelse Wikipedia.
Externe link
Verwijzingen in de tekst
- ↑ a b Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.64. ISBN 1-4398-5511-0
- ↑ Harafuji, Kenji, Tsuchiya, Taku, Kawamura, Katsuyuki (2004). Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Journal of Applied Physics 96 (5). DOI: 10.1063/1.1772878.
- ↑ Foster, Corey M., Collazo, Ramon, Sitar, Zlatko, Ivanisevic, Albena (2013). abstract NCSU study: Aqueous Stability of Ga- and N-Polar Gallium Nitride. Langmuir 29 (1): 216–220. PMID 23227805. DOI: 10.1021/la304039n.